OTSUKA廣州代理OTSUKA 光譜橢偏儀 FE-5000 大塚電子
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- 型號(hào)：
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特 長(zhǎng)
紫外可視（250～800nm）の波長(zhǎng)領(lǐng)域でのエリプソパラメータ測(cè)定が可能 ナノメータオーダーの多層薄膜の膜厚解析が可能 400ch以上のマルチチャンネル分光法によるエリプソスペクトルの迅速測(cè)定が可能 反射角度可変測(cè)定により、薄膜の詳細(xì)な解析に対応 光學(xué)定數(shù)のデータベース化およびレシピ登録機(jī)能の追加により操作性がアップ 層膜フィッティング解析による光學(xué)定數(shù)測(cè)定による膜厚?膜質(zhì)管理が可能
測(cè)定項(xiàng)目
エリプソパラメータ（tanψ、cosΔ）測(cè)定 光學(xué)定數(shù) ( n ： 屈折率 , k ： 消衰係數(shù) ) 解析 膜厚解析
用 途
半導(dǎo)體ウェハー
ゲート酸化薄膜，窒化膜
SiO 2 ，Si x O y ，SiN，SiON，SiN x ，Al 2 O 3 ，SiN x O y ，poly-Si，ZnSe， BPSG，TiN
レジストの光學(xué)定數(shù)(波長(zhǎng)分散) 化合物半導(dǎo)體
Al x Ga (1-x) As 多層膜，アモルファスシリコン FPD
配向膜
プラズマディスプレイ用ITO，MgOなど 各種新素材
DLC(Diamond Like Carbon)，超伝導(dǎo)用薄膜，磁気ヘッド薄膜 光學(xué)薄膜
TiO 2 ，SiO 2 ，多層膜，反射防止膜，反射膜 リソグラフィー分野
g線(436nm)，h線(405nm)，i線(365nm)，KrF(248nm)などの各波長(zhǎng)におけるn，k評(píng)価
原 理 試料にs波とp波を含む直線偏光を入射し、その反射光の楕円偏光を測(cè)定します。s波とp波は位相と振幅が獨(dú)立に変化して、試料に依存した2種類の偏光の変換パラメータであるp波とs波の反射率の比tanψおよび位相差Δが得られます。
仕 様
型式 FE-5000S FE-5000 測(cè)定サンプル 反射測(cè)定サンプル サンプルサイズ 100x100mm 200x200mm 測(cè)定方式 回転検光子法 *1 測(cè)定膜厚範(fàn)囲(nd) 0.1nm～ 入射（反射）角度範(fàn)囲 45～90° 45～90° 入射（反射）角度駆動(dòng)方式 自動(dòng)サインバー駆動(dòng)方式 入射スポット徑 *2 約φ2.0 約φ1.2sup *3 tanψ測(cè)定正確さ ±0.01以下 cosΔ測(cè)定正確さ ±0.01以下 膜厚の繰り返し再現(xiàn)性 0.01%以下 *4 測(cè)定波長(zhǎng)範(fàn)囲 *5 250～800nm 300～800nm 分光検出器 ポリクロメータ（PDA、CCD） 測(cè)定用光源 高安定キセノンランプ *6 ステージ駆動(dòng)方式 手動(dòng) 手動(dòng)/自動(dòng) ローダ対応 不可 可 寸法、重量 650（W)×400（D)×560（H）mm
約50kg 1300（W)×900（D)×1750（H）mm
約24kg *7 ソフトウェア 解析 最小二乗薄膜解析（屈折率モデル関數(shù)、Cauchy分散式モデル式、nk-Cauchy分散式モデル解析など）
理論式解析（バルク表面nk解析、角度依存同時(shí)解析）
*1 偏光子駆動(dòng)可能、不感帯に有効な位相差板著脫可能です。
*2 短軸?角度により異なります。
*3 微小スポット対応（オプション）
*4 VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場(chǎng)合の値です。
*5 この波長(zhǎng)範(fàn)囲內(nèi)で選択可能です。
*6 測(cè)定波長(zhǎng)により光源が異なります。
*7 自動(dòng)ステージ選択時(shí)の値です。
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傳感器
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藤野貿(mào)易（廣州）有限公司-主營(yíng)FA自動(dòng)化、膠粘材料、油脂材料、機(jī)械設(shè)備、精密儀器、物流搬運(yùn)，工具等產(chǎn)品
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